集成電路及電子元器件
物(化) 性失效分析 PFA
Decap 開封
Bare Die Extraction 取晶粒
De-layer/De-process 去層解剖
Staining-Rom Code 碼點(diǎn)染色
Staining-P/N 阱染色
Staining-Resistor zone 電阻染色
De-Gold Bump 去金凸塊
金相分析
精密定點(diǎn)及非定點(diǎn)研磨制樣 / 金相切片
顯微觀察分析（Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷場發(fā)射電鏡+ EDS）
電性失效分析 EFA
EMMI 微光顯微檢查
LC Hot Spot 液晶熱點(diǎn)偵測
OBIRCH 鐳射光束誘發(fā)阻值變化測試
Probe Station 探針應(yīng)用
FIB聚焦離子束應(yīng)用
微線路修改
測試鍵生成
Cross-Section
VC
精密切割及加工
無損偵測
X-Ray + 3D CT（三維斷層掃描技術(shù)）
C-SAM 掃描超聲波
芯片逆向工程及工藝評(píng)估
成功的正向設(shè)計(jì)需要隨時(shí)更新已有設(shè)計(jì)思路，糾正設(shè)計(jì)缺陷。反向設(shè)計(jì)作為一種輔助工具，可以幫助電路設(shè)計(jì)工程師在短時(shí)間里積累足夠多的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)并開發(fā)適合自身設(shè)計(jì)水平的工藝參數(shù)，有效規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)、提高效率。也可幫助設(shè)計(jì)公司提升產(chǎn)品競爭力，或?yàn)楸Ｗo(hù)自主產(chǎn)品知識(shí)產(chǎn)權(quán)提供有效證據(jù)。
靜電放電/閂鎖效應(yīng)測試
ESD-HBM 人體模式
ESD-MM 機(jī)器放電模式
ESD-CDM 充電元器件模式
Latch-Up 閂鎖效應(yīng)測試
材料分析
AES 俄歇電子能譜儀應(yīng)用
AFM 原子力顯微鏡應(yīng)用
EELS 電子能量損失分析儀應(yīng)用
FT-IR 傅立葉紅外顯微鏡應(yīng)用
SEM/EDS 掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀應(yīng)用
SIMS 二次離子能譜儀（特殊定點(diǎn)/非定點(diǎn)制樣、元素分析）
TEM 透射電鏡（定點(diǎn)/非定點(diǎn)制樣及上機(jī)觀察）
TOF-SIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜應(yīng)用
XPS X射線光電子能譜儀應(yīng)用
靜態(tài)環(huán)境可靠性測試…
動(dòng)態(tài)環(huán)境可靠性試驗(yàn)…
機(jī)械應(yīng)力可靠性試驗(yàn)…
高加速壽命試驗(yàn)…